000 -Etiqueta de registo |
Campo de controlo |
00673 a2200229 4500 |
010 ## - ISBN |
Número (ISBN) |
0-12-544057-X |
100 ## - Dados gerais de processamento |
Dados gerais de processamento |
20130109 frey50 |
101 1# - Língua da publicação |
Língua do texto, banda sonora, etc. |
inglês |
Língua da obra original |
inglês |
102 ## - País de Publicação |
País de Publicação |
US |
200 1# - Título e menção de responsabilidade |
Título próprio |
Gallium nitride (GaN) |
Informação de outro título |
semiconductors and semimetals |
Indicação genérica do tipo de material |
Monografia |
Primeira menção de responsabilidade |
Editors Jacques I. Pankove, Theodore D. Moustakas |
210 ## - Publicação, Distribuição, etc. |
Lugar da edição, distribuição, etc. |
San Diego |
Nome do editor, distribuidor, etc. |
Acamedic Press |
Data da publicação, distribuição, etc. |
cop. 1999 |
215 ## - Descrição física |
Indicação específica do tipo de material e extensão do item |
XVI, 489 p. |
Outras indicações físicas |
il. |
Dimensões |
23 cm |
320 ## - Nota relativa a bibliografias e índ. internos |
Texto da nota |
Vol. 1 |
606 ## - Nome comum usado como assunto |
Elemento de entrada |
Semimetais |
675 ## - Classificação decimal universal (CDU) |
Notação |
621.38 |
606 ## - Nome comum usado como assunto |
Elemento de entrada |
Semicondutor |
702 #1 - Nome de pessoa - Responsabilidade secundária |
Palavra de ordem |
Pankove |
Outra parte do nome |
Jacques I. |
702 ## - Nome de pessoa - Responsabilidade secundária |
Palavra de ordem |
Moustakas |
Outra parte do nome |
Theodore D. |
801 ## - Fonte de origem |
Agência |
ESTiG-IPB |